C3M0065090J Transistor - N-MOSFET, SiC, 900V, 35A (D2PAK-7)
Varenr:
H67056
EAN:
5705412670562
Wolfspeed (CREE) N-kanal MOSFET, der anvender avanceret C3M⢠siliciumcarbid (SiC)-teknologi. Denne unipolare enhancement mode-transistor er designet til højeffektiv effektkonvertering og tilbyder en drain-source-spænding på 900 V og en drain-strøm på 35 A. Den er indkapslet i et D2PAK-7-hus og har en Kelvin-terminal for at optimere switching-ydeevnen og minimere parasitisk induktans.
Egenskaber:
- Kelvin-terminal
Tekniske detaljer:
- Producent (varemærke): Wolfspeed (CREE)
- Transistortype: N-MOSFET
- Teknologi: C3Mâ¢, SiC
- Hus: D2PAK-7
- Montering: SMD
- Elektrisk:
- Drain-source spænding (VDS): 900V
- Kontinuerlig drænstrøm (ID): 35A
- Effektafledning (PD): 113W
- Gate-source spænding: -8...19V
- Gate-afgift: 30,4 nC
- Omvendt restitutionstid: 16ns
- Tekniske detaljer:
- Polarisering: unipolær
- Slags kanal: forbedring
Wolfspeed (CREE) N-channel MOSFET utilizing advanced C3M⢠Silicon Carbide (SiC) technology. This unipolar enhancement mode transistor is designed for high-efficiency power conversion, offering a 900V drain-source voltage and a 35A drain current. It is housed in a D2PAK-7 package and features a Kelvin terminal to optimize switching performance and minimize parasitic inductance.
Features:
- Kelvin terminal
Specifications:
- Manufacturer: Wolfspeed(CREE)
- Transistor type: N-MOSFET
- Technology: C3Mâ¢, SiC
- Case: D2PAK-7
- Mounting: SMD
- Electrical:
- Drain-source voltage: 900V
- Drain current: 35A
- Power dissipation: 113W
- Gate-source voltage: -8...19V
- On-state resistance: 78mΩ
- Gate charge: 30.4nC
- Technical Details:
- Polarisation: unipolar
- Kind of channel: enhancement
