Skip to Content

11N60C3 Transistor - N-MOSFET 600V 8,2A 35W (TO220FP)

Varenr: H66489
EAN: 5705412664899
https://bogholderi.el-grossisten.dk/web/image/product.template/135431/image_1920?unique=f6faeb3


STMicroelectronics N-MOSFET-transistor med SuperMesh™-teknologi, der tilbyder 600 V drain-source-spænding og 8,2 A drain-strøm, og er velegnet til højeffektapplikationer.

Egenskaber:

  • SuperMesh™-teknologi
  • ESD-beskyttelse
  • Forbedringstilstand

Tekniske detaljer:

  • Type af transistor: N-MOSFET
  • Teknologi: SuperMesh™
  • Polarisering: unipolær
  • Slags kanal: forbedring
  • Version: ESD
  • Drain-source spænding (VDS): 600V
  • Gate-source spænding: ±30V
  • Kontinuerlig drænstrøm (ID): 8,2A
  • Effektafledning (PD): 35W
  • Hus: TO220FP
  • Montering: THT

STMicroelectronics N-MOSFET transistor with SuperMesh™ technology, offering 600V drain-source voltage and 8.2A drain current, suitable for high-power applications.

Features:

  • SuperMesh™ technology
  • ESD protection
  • Enhancement mode

Specifications:

  • Type of transistor: N-MOSFET
  • Technology: SuperMesh™
  • Polarisation: unipolar
  • Kind of channel: enhancement
  • Version: ESD
  • Drain-source voltage: 600V
  • Gate-source voltage: ±30V
  • Drain current: 8.2A
  • Power dissipation: 35W
  • Case: TO220FP
  • Mounting: THT
Læs mere

DKK 44,85 44.85 DKK DKK 44,85 Moms Inkluderet

Not Available For Sale

Denne kombination eksistere ikke.

0.0 Stk på lager
7 Stk på fjernlager - Forventet levering om ca. 1-3 dage