FDD8444 Transistor - N-MOSFET, 40V 50A 153W (DPAK)
Varenr:
H56095
EAN:
5705412560955
Denne ONSEMI N-MOSFET er en højtydende effekttransistor, der bruger PowerTrench®-teknologi. Den er designet til effektiv strømstyring og switching og tilbyder en drain-source-spænding på 40 V og en drain-strøm på 50 A, og den er placeret i et kompakt DPAK-hus, der er egnet til overflademontering.
Egenskaber:
- PowerTrench®-teknologi
- Unipolar polarisering
- Forbedringstilstandskanal
- SMD-montering
Tekniske detaljer:
- Producent (varemærke): ONSEMI
- Transistortype: N-MOSFET
- Teknologi: PowerTrench®
- Polarisering: unipolær
- Drain-source spænding (VDS): 40V
- Kontinuerlig drænstrøm (ID): 50A
- Effektafledning (PD): 153W
- Hus: DPAK
- Gate-source spænding: ±20V
- On-state modstand: 5,2m?
- Montering: SMD
- Gate-charge: 89nC
This ONSEMI N-MOSFET is a high-performance power transistor utilizing PowerTrench® technology. Designed for efficient power management and switching, it offers a 40V drain-source voltage and a 50A drain current, housed in a compact DPAK package suitable for surface mounting.
Features:
- PowerTrench® technology
- Unipolar polarisation
- Enhancement mode channel
- SMD mounting
Specifications:
- Manufacturer: ONSEMI
- Transistor type: N-MOSFET
- Technology: PowerTrench®
- Polarisation: unipolar
- Drain-source voltage: 40V
- Drain current: 50A
- Power dissipation: 153W
- Case: DPAK
- Gate-source voltage: ±20V
- On-state resistance: 5,2m?
- Mounting: SMD
- Gate charge: 89nC
